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磁控溅射技术制备的Ge/Si多层膜材料存在膜层是非晶态以及厚度均匀性差等不足,但通过热退火可以提高晶体质量,改善层状结构.该文采用高温热退火方法,对磁控溅射技术生长的Ge/Si多层膜材料进行了热稳定性研究.主要利用Raman光散射技术对各样品的再生长机制进行了结构上的讨论.通过分析不同温度、时间退火后Ge/Si多层膜的Raman谱图,得出了优化多层膜结构的最佳热处理参数.