【摘 要】
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用55MeV/u的Ar离子对国内第一台专用的单粒子效应加速器模拟实验装置的注量探测器、能量探测器以及均匀度探测器进行了刻度.利用高能Xe离子获得了静态存储器IDT71256的单粒子
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用55MeV/u的<40>Ar离子对国内第一台专用的单粒子效应加速器模拟实验装置的注量探测器、能量探测器以及均匀度探测器进行了刻度.利用高能<136>Xe离子获得了静态存储器IDT71256的单粒子翻转饱和截面和单粒子闭锁截面,在国内首次得到了该器件完整的σ-LET曲线.并用改进的FOM方法预示了该器件以及其它常用宇航器件的在轨翻转率;用FOM公式、Barak经验公式和Larry模型推算这些器件的质子饱和截面,并对三种方法推算的结果进行了比较;探讨了利用HIRFL提供的高能<12>C离子来模拟质子引起的单粒子效应的可能性;利用翻转截面与离子入射角度的关系估算了IDT71256敏感区的厚度以及聚酰亚胺膜的厚度,获得了截面与离子沉积能量的关系,临界沉积能量与临界LET值吻合,聚酰亚胺膜的厚度与对同类器件测量的结果一致;研究了离子入射角度对多位翻转的影响,在高LET值轰击下以及高能离子掠射的情况下,IDT71256多位翻转的比例可以高达70﹪,对于MBU,敏感区中沉积的总能量及其分布范围是两个重要的参数;IDT71256单粒子翻转截面的角度效应主要是多位翻转的贡献;对实验中各种误差来源进行了分析.部分研究结果已经应用于星载计算机系统的抗辐射加固设计,建立的实验方法和理论模型为利用HIRFL开展宇航器件单粒子效应敏感度的评估奠定了坚实的基础.
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