【摘 要】
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该文通过对硅晶体的晶体结构特点和其在氢氧化钾溶液中各向异性腐蚀特性的研究,设计了一种新型的MEMS光开关结构,它基于体硅湿法定向腐蚀工艺加工而成,采用扭臂结构通过静电
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该文通过对硅晶体的晶体结构特点和其在氢氧化钾溶液中各向异性腐蚀特性的研究,设计了一种新型的MEMS光开关结构,它基于体硅湿法定向腐蚀工艺加工而成,采用扭臂结构通过静电力驱动微反射镜上下移动,实现光通路的转换.微反射镜、上电极板(悬臂)、扭臂、下电极板和自对准光纤定位槽组成了完整的光开关结构,器件的一致性好.微反射镜表面粗糙度低于6nm,垂直度高.光开关的直通状态下的插入损耗小于2dB,反射状态下的插入损耗小于3dB.对所涉及到的表面微机械和体硅微机械加工工艺进行了工艺参数上的优化.利用单模光纤的耦合理论并结合反射镜的反射损耗,分析了光开关插入损耗,并对光开关的驱动电压与上电极板的位移关系进行了理论上的计算.
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