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二维半导体材料石墨烯由于其具有优异的光电性能,在光电探测器方面具有极大的应用潜力。然而,单层石墨烯存在吸光率较低、载流子寿命短的问题,这使其光电性能受限。利用单层石墨烯与吸光材料复合形成异质结的方式能够解决吸光率低和载流子寿命短的问题,可以提高光电探测器的光增益。但是,这类异质结器件的响应波段往往受吸光材料固有带隙的限制,无法发挥石墨烯宽波段吸光的特性。针对上述问题,本文提出利用多层石墨烯与硅复合来拓宽石墨烯-硅异质结器件探测波段的方式。系统性的研究了多层石墨烯的制备方法,通过双聚合辅助转移的方式实