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锑掺杂二氧化锡（Antimony doped Tin Oxide，ATO）由于具有优良的导电性能、光学性能、稳定性好和灵敏度高等优点，广泛应用于太阳能电池、电致变色材料、电极材料等方面。因此，开发新型的ATO系列材料已成为近年来研究的热点之一。 本文研究了ATO纳米粉体和铈掺杂ATO纳米粉体的制备工艺，并从不同角度对粉体的性能做了研究。 利用自蔓延燃烧法，以SnCl4·5H2O、Sb2O3和Ce(NO3)·6H2O为主要原料，制备了ATO、铈掺杂ATO（Ce-ATO）纳米粉体。主要研究了锑掺杂浓度(1mol％～20 mol％)、铈掺杂浓度（0 mol％～8 mol％）、滴定终点pH值(2、3、5、7、9、11)、PEG分子量(200、300、600、1000、1500、2000)、煅烧温度(400℃、500℃、600℃、700℃)以及煅烧时间(1-4h)对粉体粒径及性能的影响。利用激光粒度测试仪、X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(FESEM)、荧光光谱仪对粉体进行了表征测试。最后，在10 MPa的压力下，称取一定量的ATO、Ce-ATO粉体将其压成直径为14mm的小圆片，用万用表测定电阻R，用游标卡尺测厚度h，以公式ρ=R×π(1.4)2/(4h)计算电阻率，对ATO、Ce-ATO粉体的导电性做了研究。 结果表明，当锑掺杂量为10mol％，滴定终点pH为7，以PEG600为表面活性剂在煅烧温度为600℃时煅烧2小时，粉体体积最小为5.132um3，XRD分析得出其粒径为22.332nm，该条件下粉体的压片导电性性能最好，其电阻率为12.5Ω·cm。 实验也表明，铈掺杂的ATO粉体仍保持四方金红石晶相结构，且铈成功地掺杂到ATO中;晶粒尺寸分布为18～22 nm，当Ce掺杂量达到5％时，在衍射角为28.3°附近开始出现杂质峰，当Ce掺杂量达到8％时，该峰已经特别明显，并且在衍射角为47.4°附近出现一个明显的杂峰。当Ce掺杂量为4％，终点pH为7，以PEG600为表面活性剂，在煅烧温度为600℃下煅烧2h所制得的粉体粒径最小为18.382nm，此时粉体压片的电阻率最小为9.72Ω·cm。