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GaN材料的禁带宽、击穿电压高、电子饱和速度高、稳定性和导热性好,这些优良的材料性能使AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在高温、高频、大功率方面有很大的应用前景.该论文对AlGaN/GaN HEMT器件的各项关键工艺进行了研究,成功的开发出两套适用于HEMT的工艺流程,并制备出国内领先的AlGaN/GaN HEMT器件.取得的主要成果如下:1.设计了一套适用于分析外延材料、工艺参数和器件特性的实验版图,为GaN器件材料和器件性能的改善提供了详实的实验数据.2.对AlGaN/GaN HEMT的关键工艺进行了研究.通过选择合适的掩膜,实现了台面隔离和注入隔离;研制出一种基于Ti/Al/Ti/Au的欧姆接触,接触电阻率达10<'-6>Ωcm<'>2数量级;选用Pt/Ti/Au金属体系进行了肖特基接触研究,势垒高度达到0.86eV.这些成果为AlGaN/GaN HEMT的成功研制打下了良好的基础.3.在单项工艺的研究基础上,提出了基于台面隔离和注入隔离的两套完整工艺流程,并进行了投片验证.在国内首先采用注入隔离技术制备出性能良好的AlGaN/GaN HEMT,该技术的引入为GaN器件的制备开辟了一条新的途径.4.基于国产GaN外延材料,研制出国内领先的AlGaN/GaN HEMT器件.单管器件(L<,g>=1μm,L<,ds>=4μm)的Imax达到1A/mm,g<,max>达到198mS/mm,fT达到18.6GHz,f<,max>达到19.1GHz,源漏击穿电压和肖特基势垒的反向击穿电压均大于40V;多指功率器件(1.6mm)的I<,max>达到1.54A.