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随着微电子技术及其相关产业的不断发展，人们对该领域的研究也在不断深入，无线通信，特别是第三代通信技术的发展，以及SiGe器件和电路在高频性能方面优越的表现和相对于GaAs器件的低成本使得SiGe技术在未来的通讯领域的地位和前景越来越重要和广阔。 本论文第一部分首先介绍了SiGe材料的优点和器件及电路在高频领域表现出的优越性，接着介绍了SiGe器件和电路的发展史，以及当今世界上SiGe器件和电路的发展现状和国内在SiGe方面的发展现状，与国际水平的差距。最后介绍了本实验室对SiGe器件的研究情况及创新点。 论文的第二部分阐述了高频功率晶体管在功率方面和频率方面的一些问题，介绍了高频功率晶体管的一些在大电流工作下的一些效应，分析了设计高频功率晶体管的矛盾和难点，介绍了SiGe器件在高频功率方面表现出来的优越性，为第三章器件的设计打下了基础。 论文的第三部分，也是本课题的核心部分主要是在高频功率晶体管工作原理的基础上，根据设计指标进行了SiGe高频功率晶体管的纵向结构和横向结构（版图）的设计，对于设计中所用到的一些SiGe应变层的参数进行了计算。最后根据设计的数据对高频功率晶体管的主要参数指标：特征频率fT、功率增益Kp和最高振荡频率fmax进行了计算，通过计算，验证了设计的器件基本达到设计要求。用Matlab数学计算软件和电路仿真软件Pspice对所设计的器件进行了直流特性和交流特性的模拟。 论文的最后对高频功率SiGe HBT的工艺进行了介绍，指出了工艺中的问题。提出了改进器件性能的几点措施。