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ZnO是一种宽禁带n型半导体材料（Eg=3.37ev），室温下具有较大的激子束缚能（60mev），具备了发射蓝光和近紫外光的优越条件。它不仅具有与GaN非常相似的特性，且在很多方面又有其独特性能。因此在紫外激光器件、紫外光探测器、表面波导器件、气体传感器、透明电极、白光固态照明工程以及环境污染治理等方面的应用具有巨大的潜力和诱人的市场前景。
在p型掺杂ZnO薄膜研究中遇到的共同难题就是如何解决p型ZnO薄膜的电学稳定性。为了提高其电学稳定性，研究人员主要围绕改进薄膜制备技术尽可能提高薄膜的结晶质量和探寻更适合的掺杂元素（包括共掺杂元素）以及掺杂方法两个方面开展工作。
在优化制备工艺条件下，得到了C轴择优取向的六方纤锌矿结构的掺杂ZnO薄膜。从样品的X-射线衍射谱（XRD）、表面和断面扫描电镜图片（SEM）及光致发光谱（PL）分析可以看出在优化工艺条件下可以得到结晶质量优异的掺杂ZnO薄膜。
根据溶胶凝胶技术的工艺特点，选择I族元素中的Li、Na和Cu作为主要掺杂元素，选择N和F作为辅助掺杂元素，得到了Li、Na、Cu单独掺杂以及Li-N双掺和Li-F共掺的五种掺杂ZnO薄膜。除了Cu掺杂以外的其它四种薄膜均实现了比较稳定的p型掺杂，尤其是Li-N双掺和Li-F共掺两种薄膜的电学性能更为优良。
在制备Na掺杂ZnO薄膜的研究过程中，重点考察了Na掺杂浓度、退火条件以及过渡层对薄膜的结构、光学性能和电学性能的影响，初步得到了电学性能比较稳定的p型Na掺杂ZnO薄膜。在优化制备工艺条件下得到的p型Na掺杂ZnO薄膜的电学性能为：电阻率2.5×102Ω·cm；霍尔迁移率2.087×102c㎡/V·s：空穴载流子浓度1.16×1018 cm-3。
对于Li掺杂ZnO薄膜，重点考察了Li掺杂浓度和退火条件对薄膜的结构、光学性能和电学性能的影响，得到了电学性能较稳定的p型ZnO薄膜。在优化制备工艺条件下得到薄膜的电学性能为：电阻率1.10Ω·cm；霍尔迁移率10.7c㎡/V·s；空穴载流子浓度5.32×1018 cm-3。
采用Li-N双掺杂法得到了性能较稳定的p型导电薄膜，薄膜的最佳性能参数为：电阻率0.34Ω·cm；霍尔迁移率16.43 c㎡/V·s；载流子浓度2.79×1019 cm-3。此外，我们制作了ZnO同质p-n结，所得同质p-n结具有较好的整流特性。
采用Li-F共掺杂法得到了性能较稳定的P型导电薄膜，薄膜的最佳电学性能为：电阻率1.1×10-3Ω·cm；霍尔迁移率273.6 c㎡/V·s；载流子浓度2.10×1019cm-3。