【摘 要】
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AB型DTMOS器件结构模拟,AB指背界面积累.该文对AB型DTMOS结构的特性进行了综合模拟,包括开关电流,二级效应等,并研究了其scalingdown性能,文中还对AB型DTMOS器件的物理机制进
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AB型DTMOS器件结构模拟,AB指背界面积累.该文对AB型DTMOS结构的特性进行了综合模拟,包括开关电流,二级效应等,并研究了其scalingdown性能,文中还对AB型DTMOS器件的物理机制进行了初步分析,揭示了其性能远优于常规结构的物理本质,同时也指出了做进一步研究的方向.SON型DTMOS器件结构模拟,SON表示埋氧层被硅膜穿通,硅膜再与栅极电学相接.文中分别对栅长(Lg)为100nm,70nm,50nm的纳米级SON型DTMOS结构的各项特性进行了综合模拟并与普通体悬浮SOI结构作了对比.此部分工作中还包括采用halo结构进行优化设计.并对模拟中的反常现象给出了定性解释.SD型DTMOS结构模拟,SD表示体是通过源,漏的底部引出,再与栅极电学相接的.文中分析比较了纳米尺寸下两种结构器件的scalingdown能力,指出了SD型DTMOS存在的优势,综合各种因素详细讨论了器件的关键参量硅膜厚度,另外在分析纳米尺寸栅长下SD型DTMOS器件物理的基础上,提出了膜厚选取原则,并对膜厚进行了优化设计,为工艺加工提供了指导.另外,此部分工作还包括在SD引出结构基础上对沟道区掺杂的优化设计.实验部分主要针对SD引出DTMOS结构进行版图设计及工艺实验,第一部分主要针对前面的模拟工作进行设计,此部分中设计了不同沟长的n型器件.第二部分主要验证多晶硅栅引出框内注入比框外注入的体接触能更有效地影响体区硅膜,设计了源漏两边无注入的不同沟长相同沟宽的n型器件;第三部分主要目的是进行直流参数提取,以作理论建模之用,设计了固定栅宽,变栅长的n,p型器件,以及固定栅长,变栅宽的n,p型器件;第四部分主要目的是进行噪声分析,设计了n,p型叉指管;第五部分主要目的是对比一些基本电路的速度,功耗特性.设计了不同栅长的反相器,101级的环振电路等.最后该文针对SD型DTMOS结构中的关键部分进行了单项实验,实验拟实现SD型DTMOS结构中的体引出通路,并力图实现纳米级栅细线条.
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