【摘 要】
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该文首先对能带工程和近场圆化结构的进展作了概述.然后以有效质量方法为理论基础,研究应变量子阱能带结构;并研究了应变效应、不同阱宽和不同垒宽对量子阱特性的影响.研究结
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该文首先对能带工程和近场圆化结构的进展作了概述.然后以有效质量方法为理论基础,研究应变量子阱能带结构;并研究了应变效应、不同阱宽和不同垒宽对量子阱特性的影响.研究结果表明:量子阱光学特性的好坏取决于价带间耦合的强弱,减弱价带间耦合有利于提高量子阱各方面特性.压应变下量子阱的应变量越大,阱宽越窄,其能带结构越理想;而张应变下有较大的阱宽,并且电子与空穴的跃迁矩阵元及态密度都要比压应变下大,使张应变阱的微分增益比压应变和晶格匹配最子阱大的多.半导体光放大器与单模光纤高效耦合的关键在于二者之间模场的高效匹配.我们采用有限元方法,从理论上研究了近场圆化结构的模式扩展特性.我们还基于实验设计了1.3μ高效耦合的近场圆化结构半导体光放大器.对该结构具体实现的关键工艺进行了分析,给出了掩模板设计.并指出该结构很有可能实现大增益和高功率输出的光放大器.
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