【摘 要】
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本工作主要探讨了用沉淀法制备纳米二氧化锡粉体过程中分散剂对前驱沉淀物--氢氧化锡胶体的分散稳定作用,以及掺杂剂对纳米二氧化锡粉体电阻率的影响.以光子相干光谱（PCS）和透
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本工作主要探讨了用沉淀法制备纳米二氧化锡粉体过程中分散剂对前驱沉淀物--氢氧化锡胶体的分散稳定作用,以及掺杂剂对纳米二氧化锡粉体电阻率的影响.以光子相干光谱（PCS）和透射电子显微镜（TEM）对氢氧化锡胶粒的粒径和形貌进行了分析和观察.分析表明：二氧化锡粉体的结晶温度在400℃左右,为四方相结构.采用共沉淀法、表面包覆法和共混法三种掺杂方法二氧化锡粉体掺入了铟（In）、锑（Sb）、银（Ag）、镧（La）、铌（Nb）、和钽（Ta）,并测试了掺杂纳米二氧化锡粉体的电阻率.结果表时：掺In能显著地降低二氧化锡粉体的电阻率,其电阻率的数量级为10<,5>Ω.m;极少量的Sb的掺入,就可以极大地提高二氧化锡粉体的电导,降低其电阻率,当掺杂量高于1﹪时,二氧化锡粉体由绝缘体变成了导体,电阻率只有几Ω.m;但实验中发现掺Ag、La、Nb、Ta对纳米二氧化锡粉体的降阻效果不明显.
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