【摘 要】
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该论文通过对分子束外延生长动力学的理论分析,对高功率缓变折射率分别限制多量子阱(GRIN-SCH MQW)半导体激光器的外延片的结构进行优化设计,分析了影响ME生长GaAs/AlGaAs多
【出 处】
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长春光学精密机械学院 长春理工大学
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该论文通过对分子束外延生长动力学的理论分析,对高功率缓变折射率分别限制多量子阱(GRIN-SCH MQW)半导体激光器的外延片的结构进行优化设计,分析了影响ME生长GaAs/AlGaAs多量子阱材料质量的各种因素,采用MBE法生长了一系列GaAs/AlGaAs多量子阱结构的激光器材料,实验中利用X射线双晶衍射仪、光荧光谱你及电化学C-V测试仪有针对性地对两个典型材料进行了测试分析,通过双晶回摆曲线中干涉条纹及峰劈裂现象以及PL谱中深能级来源的研究,探讨了样品的发光特性和结构特性之间的关系,最后研制出高功率GaAs/AlGaAs多量子阱激光器.
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