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【摘 要】
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该论文通过对分子束外延生长动力学的理论分析,对高功率缓变折射率分别限制多量子阱(GRIN-SCH MQW)半导体激光器的外延片的结构进行优化设计,分析了影响ME生长GaAs/AlGaAs多
【机 构】
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长春理工大学
【出 处】
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长春光学精密机械学院 长春理工大学
【发表日期】
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1999年期
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