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该论文针对目前Ⅲ族氮化物材料器件研究的前沿问题,开展了两方面工作:一是探索发展Si基Ⅲ族氮化物新材料;二是以发展蓝宝石衬底上GaN基金属-绝缘栅-半导体场效应晶体管(MISFET)器件为背景,开展了Ⅲ族氮化物的MIS结构特性、Ⅲ族氮化物异质结构的压电特性及MIS结构场效应器件研究.
Si基Ⅲ-族氮化物生长和Ⅲ-族氮化物MIS结构研究
【摘 要】
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该论文针对目前Ⅲ族氮化物材料器件研究的前沿问题,开展了两方面工作:一是探索发展Si基Ⅲ族氮化物新材料;二是以发展蓝宝石衬底上GaN基金属-绝缘栅-半导体场效应晶体管(MISFE
【机 构】
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南京大学
【出 处】
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南京大学
【发表日期】
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2000年期
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