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In2O3作为透明导电材料,具有较宽的禁带宽度、较小的电阻率和较高的催化活性,被广泛应用在光电子、气体传感器和催化剂领域,另外无掺杂In2O3因外延膜具有较高的电子迁移率,可望在场效应晶体管方面得到应用。随着In2O3的应用范围的不断拓展,对超薄In2O3薄膜的需求也在不断增加。因此有必要对超薄In2O3薄膜的电子输运性质随薄膜厚度的变化进行系统研究。我们采用磁控溅射的方法在钇掺杂氧化锆(YSZ)基底上制备了厚度从约4nm变化到45 nm的In2O3薄膜,并系统地研究了其电输运性质和结构性质。X射线