【摘 要】
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该论文主要研究了NeuMOS的两种改进结构即钟控NeuMOS和开关共点耦合NeuMOS的建模和应用.其目的是建立一个可用于指导神经电路设计和模拟验证的模型.在建模部分,在NeuMOS(长沟
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该论文主要研究了NeuMOS的两种改进结构即钟控NeuMOS和开关共点耦合NeuMOS的建模和应用.其目的是建立一个可用于指导神经电路设计和模拟验证的模型.在建模部分,在NeuMOS(长沟道和短沟道)伏安特性的基础之上,从其改进结构的等效电容模型出发,采用模拟行为建模的方法建立一个基于通用电路模拟器PSPICE的子电路模型和子电路模型库.在应用部分,主要运用所建模型对文中两种改进结构的特性进行了模型分析,这也从另一个角度证明了所建模型的准确性,弥补了用于验证模型的电路不够锪不足.并对两种改进结构的应用方向作了初步探讨.
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