【摘 要】
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本文着眼于电阻式随机存储器(RRAM)电阻转变机制这一关键问题，围绕Ag-La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)-Pt异质结在电脉冲和电场诱发条件下电阻转变特性进行了研究。主要内容如下：
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本文着眼于电阻式随机存储器(RRAM)电阻转变机制这一关键问题，围绕Ag-La0.7Ca0.3MnO3(LCMO)-Pt异质结在电脉冲和电场诱发条件下电阻转变特性进行了研究。主要内容如下：
⑴系统研究了Ag-LCMO-Pt异质结电脉冲诱发电阻转变(EPIR)行为。通过脉冲电压的调整，实现了Ag-LCMO-Pt异质结的多水平电阻转变。薄膜厚度、电极面积、串联和并联模式下的EPIR表明多水平电阻转变可以解释为界面层中多丝导电通道形成与破坏所产生的并联效应。
⑵采用电压扫描方式研究Ag-LCMO-Pt异质结电场诱发巨电阻转变(CER)。Ag-LCMO-Pt异质结导电机制在低温条件下(150-225K)为Poole-Frenkel发射机制，高温条件下(250-350K)为陷阱控制空间电荷限制电流机制(SCLC)机制。I-V滞后(即CER)可以解释为Ag/LCMO界面高阻层中陷阱捕获载流子后的保持性。CER与EPIR都存在不对称疲劳(低阻态至高阻态转变疲劳)特性。真空条件下(＜100Pa)的EPIR抗疲劳性得到改善。
⑶研究了脉冲激光沉积(PLD)LCMO薄膜过程中衬底温度以及退火温度对薄膜结晶性的影响。Ag-LCMO-Pt异质结的CER与EPIR转变取决于薄膜中晶相的存在。晶相与无定形相共存是薄膜导电不均匀性的来源，电阻转变可以解释为Ag电极与LCMO薄膜中晶相所形成的界面缺氧层中氧离子(空位)在外电场作用下的迁移过程。
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