【摘 要】
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In_2O_3作为优秀的半导体材料,它的带隙宽度大约为2.8 e V,具有良好的光稳定性、低电导率以及可以吸收可见光等特点,可以应用在气体传感器,复合材料以及光电催化领域。在光催化领域中,In_2O_3被反反复复的研究,合成了各种形貌,并且与不同的材料复合以此来提高其光催化性能,但是In_2O_3的禁带宽度较宽和光生电子-空穴易复合的问题导致其光催化活性较差。为了提高氧化铟基光催化材料的光催化性能
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In_2O_3作为优秀的半导体材料,它的带隙宽度大约为2.8 e V,具有良好的光稳定性、低电导率以及可以吸收可见光等特点,可以应用在气体传感器,复合材料以及光电催化领域。在光催化领域中,In_2O_3被反反复复的研究,合成了各种形貌,并且与不同的材料复合以此来提高其光催化性能,但是In_2O_3的禁带宽度较宽和光生电子-空穴易复合的问题导致其光催化活性较差。为了提高氧化铟基光催化材料的光催化性能,本文通过制备两种不同形貌的In_2O_3,再在氧化铟表面原位生长Zn In_2S_4纳米片,或者在酸性
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