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有关等离子体在碳纳米管生长前和生长过程中的作用越来越受到相关研究人员的重视。本实验中在催化剂的预处理以及碳纳米管的生长过程中引入了氢等离子体的参与，制备出了垂直于基底生长的碳纳米管阵列。本实验方法是在硅基底上镀制金属镍催化剂薄膜，经过特别的处理工艺使连续的催化剂薄膜分裂收缩成催化剂颗粒，使用等离子体化学气相沉积设备(PECVD)，使用氢气和乙炔的混合气体作为气源生长碳纳米管阵列。主要使用了扫描电子显微镜(SEM)和原子力显微镜(AFM)来对实验结果进行分析。通过大量的实验，研究了不同的工艺参数对催化剂以及碳纳米管生长的影响，我们找到了一种使用简单工艺制备出有序生长的碳纳米管阵列的方法，为使用碳纳米管制作场发射阴极并研究其场发射特性提供了基础。同时对碳纳米管的生长机理以及有序排列的起因也进行了初步的探讨。