傣药植物内生放线菌的多样性及多相分类研究

来源 :云南大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ekinhushuang
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
植物内生菌与植物宿主长期共生,具有了独特的遗传和代谢体系。地球上的植物种类繁多,分布广泛,为植物内生菌提供了极为复杂多样的生态栖息地,植物内生菌代表着一个相对未开发微生物资源库。研究结果表明植物体中存在着极为丰富的内生放线菌资源,内生放线菌在医药、农业和工业生产等领域具有广泛的应用前景。 对植物内生放线菌分离技术进行了系统的研究。对表面消毒剂和表面消毒的程序进行了比较,确定了一个较为有效而又对内生菌种群影响较小的表面消毒程序。对不同的分离培养基的分离效果进行了探讨,并比较了多种不同的样品预处理方法对内生放线菌选择性分离效果的影响。结果表明,采用冷冻、抑制剂浸泡处理的方式对植物样品进行预处理,可促进内生放线菌的分离。使用PVP和单宁酶降解植物组织内含量较高的单宁类物质可提高内生菌的出菌率。 对90种采集自西双版纳热带雨林的药用植物进行了内生放线菌的分离及其多样性的研究,结果表明分离到的2742株内生放线菌种群丰富,包含6个亚目,13个科,24个属,其中有14个潜在的新物种。 对实验中分离得到的部分菌株进行了抗癌、抗菌活性筛选,结果表明,一些内生链霉菌和内生稀有放线菌对多种肿瘤细胞和病原菌具有抗性,可作为新生物活性物质研究的良好材料。 对部分内生放线菌分离菌株的生理特性研究表明,内生放线菌的生理特性与土壤放线菌很相似。链霉菌属和假诺卡氏菌属菌株的适应性比较强,这可能是这两个属的菌株在植物组织中分布比较广泛的原因。 选择9个代表性内生放线菌菌株进行了形态学特性、培养特征,生理生化测定、细胞化学组分分析、DNA G+Cm01%、DNA同源性测定和16S rRNA基因序列分析等多相分类研究,确定了9个菌株的分类地位。其中,菌株YIM 56035被命名为内生假诺卡氏菌(Pseudonocardia endophytica sp.nov.),YIM 56051被命名为紫珠假诺卡氏菌(Pseudonocardia callicarpa sp.nov.),YIM 56185被命名为白色假诺卡氏菌(Pseudonocardia albi sp.nov,.),YIM 56250被命名为榕属假诺卡氏菌(Pseudonocardia fica sp.nov.),YIM 56238被命名为沉香微球菌(Micrococcusaquilus sp.nov.),YIM 56134被命名为内生糖霉菌(Glycomyces endophytica sp.nov.),YIM 56139被命名为白色糖霉菌(Glycom,vces albus sp.nov.),YIM 56203被命名为接骨木糖霉菌(Glycomyces sambuca sp.nov.),YIM 56256被命名为野甘草糖霉菌(Glycomyces scopa sp.nov.)。
其他文献
本文通过对荣华二采区10
期刊
目的 探讨替西罗莫司联合索拉非尼治疗晚期肾癌的效果及对患者血清基质金属蛋白酶-9(MMP-9)、金属蛋白酶组织抑制剂-1(TIMP-1)水平的影响.方法 选取2011年3月至2016年6月惠东
最近几年来,随着可佩戴传感器技术,医学信号处理技术,无线传输技术的发展,医疗仪器的发展也开始从复杂、昂贵的医院式大型台式医疗设备,转向适用于家庭和个人的小型化、智能
随着电子信息业的发展,作为生产纳米尺度微电子器件的主要手段——薄膜生长,越来越受到人们的重视。因为薄膜生长是一种近乎于原子尺度的物理过程,其量子效应必然产生与传统
目的 探讨术中回收式自体输血技术应用于剖宫产产后出血高危患者的临床安全性、可行性.方法 回顾性分析本院2014年9月至2015年12月109例剖宫产产后出血患者输注异体血和术中
期刊
@@
油菜素甾醇(Brassinosteroids,BRs)是一类重要的植物激素,在植物的生长发育过程中起着重要的调节作用。BR的信号转导研究在双子叶植物拟南芥中已取得重大进展,但在单子叶植物水
许多人都说曹香滨是幸运的,童年的梦想成为了真实的生活。许多人都羡慕曹香滨的幸运,能早早地形成了属于自己的艺术风格,但更多的人是被曹香滨深深地吸引。她的勤奋,她的执著
应用粮食作物中的矮化品种,使粮食产量得到巨大的提高,这是“绿色革命”最重要的特点。农作物的矮化植株具有抗风雨、抗倒伏和生物消耗少等特点,更重要的是提高了收获指数,从而显
自2018年起,宫颈癌手术的开腹与微创之争引起人们广泛的关注,但是除此之外,医师应该借此更加客观全面地分析宫颈癌手术治疗中存在的问题.腹腔镜手术近十年由于其优势,在国内
随着半导体器件的特征尺寸进入纳米领域,器件集成度的提高使芯片功耗密度迅速增大。同时,为了解决器件尺寸缩小带来的短沟效应等问题,新器件结构(如采用薄硅膜的SOI、FinFET