论文部分内容阅读
该文采用脉冲淀积(PLD)技术在不同温度,不同取向的Si衬底上淀积出了SiC薄膜,退火后得到了高度择优取向的外延SiC薄膜,光致发光间接表明:在800℃ Si(111)衬底上淀积并经920℃退火半小时后晶相可能为2H-SiC;室Si(111)淀积样品经1050℃退火半小时后晶相可能为4H-SiC;在800℃ Si(100)淀积样品经980℃退火半小时后晶可能为6H-SiC.光致发光的结果与XRD的结果一致.另外,实验研究还表明采用放电辅助淀积技术可能降低最佳退火温度,对制备薄膜也是有利的.该文对脉冲激光淀积制备SiC薄膜的机理进行了初步讨论,还探索了用红外测量表征薄膜厚度的可能性.