【摘 要】
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β-SiC纳米晶须具有新颖特异的物理和化学性质,在纳米器件、光电子器件、场发射平面显示器、纳米复合材料当中有着潜在的应用前景.本文设计了一种能够制备一维纳米材料的高频
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β-SiC纳米晶须具有新颖特异的物理和化学性质,在纳米器件、光电子器件、场发射平面显示器、纳米复合材料当中有着潜在的应用前景.本文设计了一种能够制备一维纳米材料的高频感应加热新设备, 在比较清洁的石英反应室内产生1000~2000℃的高温,石英管反应室内的气压可以在1.33Pa~1.0×10<5>Pa之间调节,在不使用催化剂的条件下实现了β-SiC纳米晶须材料的制备.并对其相应的光致发光特性、电流-电压特性进行了研究和测试,用β-SiC纳米晶须构造了简单的纳米器件,最后对β-SiC纳米晶须的场发射特性进行了研究.在本文对β-SiC纳米晶须的研究过程中,以现有的理论和实验手段为基础,结合纳米技术的研究方法,得到了一种低成本制备高质量β-SiC纳米晶须的新方法,并研究了其光致发光特性、电学特性和场发射特性等,并利用其构筑出了简单的纳米器件.由于制备的β-SiC纳米晶须成本低、质量高、纯度好,将在纳米复合材料、纳米光电材料、纳米半导体材料上有比较好的应用前景.
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