【摘 要】
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Ag/Si(111)金属-半导体体系和Si高指数面的研究对未来纳电子器件的制备有着十分重要的意义.该论文主要用超高真空扫描隧道显微镜对Ag/Si(111)表面以及Si(337)高指数面的表面
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Ag/Si(111)金属-半导体体系和Si高指数面的研究对未来纳电子器件的制备有着十分重要的意义.该论文主要用超高真空扫描隧道显微镜对Ag/Si(111)表面以及Si(337)高指数面的表面和重构进行了系统的研究.利用真空蒸发方法在Si(111)-7×7表面沉积不同覆盖度的Ag原子,研究Ag在Si(111)-7×7表面的吸附状态、吸附位置和生长过程.研究发现退火速度对Si(337)表面平台的生长影响很大,采用相对较慢的退火速度,有助于(337)表面生长出结构完整、尺寸更大的平台.对Si(337)表面平台上的原子结构进行了高分辨STM研究,发现平台上的原子结构主要为Si(5 5 12)-2×1重构,这表明Si(337)面的稳定性较差,在退火过程中将重构成临近的更稳定的高指数面.对于Si(337)表面存在的大面积(5 5 12)-2×1重构,利用高分辨STM进行了细致的研究,对前人提出的原子结构模型做了补充,并对表面存在的吸附原子和缺陷进行了研究.
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