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离子束技术是目前薄膜制备中广泛应用的一类技术，根据施加在薄膜制备的前、中、后三个阶段分别称为离子束清洗、离子束辅助沉积和离子束后处理技术。本文通过对各个阶段离子束技术对光学薄膜性能的影响进行分析，提出了制备高性能薄膜的合适的使用条件，对于实际生产和应用具有一定的指导意义。主要研究内容如下：
1.研究离子源运行原理和优缺点，分析了离子源参数的影响，对离子源的束流密度和能量等参数进行了测量，通过调节离子源位置获得均匀分布的离子束流，并设计了一套离子源束流密度和能量的同步测量装置。
2.分析不同参数离子束清洗技术对基片表面形貌的影响，并镀制了单层氧化铪和氧化硅薄膜，获得了合适的离子束清洗条件。
3.调节离子源参数对单层氧化铪薄膜和1053nm增透膜分别进行了离子束辅助，研究了离子束辅助技术对膜层性能的改进作用，并讨论了这一技术的优缺点。
4.研究了离子束辅助反应沉积技术对薄膜缺陷密度和均匀性的改善情况，通过参数的选择获得尽可能高的损伤阈值，但由于化学计量比失衡导致吸收和损伤阈值均未能达到以氧化铪为初始材料电子束蒸发所达到的水平。
5.对单层氧化铪薄膜和1053nm增透膜分别采用不同能量离子束进行后处理，研究了离子束轰击对薄膜性能的改善作用；比较离子后处理与退火和激光预处理对氧化铪薄膜性能的改善作用，分析三种方法各自的作用机理和适用范围。