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【摘 要】
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ZnO是一种宽带隙半导体材料，其禁带宽度、晶格常数都和GaN十分接近。和GaN相比，ZnO具有更高的激子束缚能(60meV)、更好化学性稳定、更低的外延生长温度等优点。目前，世界各国己
【机 构】
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景德镇陶瓷学院
【出 处】
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景德镇陶瓷学院
【发表日期】
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2012年期
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