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部分耗尽绝缘体上硅(partial-depletion-silicon-on-insulator，简称PD SOI)技术，以其独特的材料结构有效地克服了体硅材料的不足，具有优良的抗单粒子和瞬时辐射能力，因此被应用于空间电子器件，尤其是在空间容易产生单粒子翻转的存储器对SOI技术具有急迫的需求。然而，SOI结构埋氧层的存在，使得SOI器件对总剂量辐射损伤非常敏感，进而极大地制约了SOI器件在航天领域中的广泛应用。因此提高SOI器件的抗辐射能力，发展SOI器件在空间辐射环境下的可靠性保证方法，对促进SOI器件在空间的广泛应用和推动我国航天事业的发展，具有十分重要的意义。
基于我国SOI器件发展现状，以及对SOI器件抗辐射加固技术和总剂量辐照试验方法、评判标准的需求，本论文主要针对国产128KbitPDSOICMOS静态随机存储器进行了总剂量辐射效应及辐射损伤机理研究，并对其总剂量辐射损伤评估方法进行了较全面、细致的探索，取得了一些非常有价值和意义的研究成果，例如：在前人基础上优化修改的SRAM参数测试系统可以完成对SOISRAM读写功能、静态和动态读写功耗电流、数据端输出高低电平、传输延迟以及输出波形的测试，为深入研究SRAM总剂量辐射效应和损伤机理提供了测试和实验方法支持；通过分析PDSOISRAM各参数随总剂量及室温和高温退火时间的变化关系，并结合CMOS电路和SOI工艺MOS管的总剂量损伤机理，初步揭示了大规模SOI器件总剂量电离辐射损伤机理：对比分析了SOISRAM各参数对总剂量的敏感程度，确定了试验样品的总剂量辐射损伤敏感参数；还分析研究了SRAM器件电学参数退化与功能失效的相关性，确定样品功能失效的预警量；同时探讨了SRAM在不同偏置条件下的辐射损伤情况，发现静态和动态偏置条件对其总剂量辐照损伤的影响不同，其中动态偏置条件对器件的辐射损伤影响较大；较全面、细致研究了商用SRAM器件在多达6种偏置条件下的总剂量辐射效应和损伤机理，为器件总剂量试验方法的建立奠定了基础。
本项目研究为大规模SOI集成电路抗总剂量辐射损伤的加固提供了可能的方法和途径，并为初步建立大规模SOI器件辐射损伤评估方法提供了实验依据和基础。