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氧化锌（ZnO）是一种重要的宽禁带（Eg＝3.37eV）半导体材料，其激子束缚能高达60meV，而掺Al的ZnO（AZO）薄膜在室温紫外光电器件方面有巨大的应用潜力。国外对AZO薄膜的研究从20世纪80年代就开始，但Al3＋的掺杂浓度一般在10at％以下，其紫外敏感性能远远不能满足太阳盲区紫外探测器的要求。针对以上存在的问题，本论文主要从以下几个方面进行了初步的探索： 1.采用射频溅射方法，探索了纯ZnO薄膜制备的最佳工艺。在此基础上，制备了不同浓度（2at%，5at%，10at%，15at%，20at%，30at%和40at%）掺Al的ZnO薄膜（AZO）。通过XRD、AFM、SEM和XPS等分析薄膜组织结构、表面形貌和化学成分，研究结果发现：2at%～15at%掺杂量的AZO薄膜均只有一个衍射峰（002），表明制备出来的AZO薄膜具有纤锌矿结构且呈c轴择优取向；当掺杂浓度大于15at%时，（002）峰消失，15at%左右为掺杂的临界浓度；随着掺杂量增加到30at%，衍射谱中出现了Al3O2相。 2.使用荧光分光光度计测试不同掺Al浓度的AZO薄膜室温下光致发光谱，不同掺Al浓度的AZO光致发光图谱中都存在很强的紫外发光峰和深能级缺陷发光峰。在 Al离子浓度高达15at%时，出现了两个紫外深能级发光峰：3.53eV，3.96eV；而且随着 Al离子浓度增加到30at%，这两个发光峰均向短波长方向移动（3.53eV→3.78eV，3.96eV→4.41eV）。 3.紫外－可见分光光度计测试薄膜在紫外－可见光范围内的透过率，结果表明，薄膜在可见光范围内，平均透过率大于85％。随着Al掺杂浓度的增加，薄膜吸收边逐渐向紫外波长方向移动，光学禁带宽度也逐渐加宽。当Al浓度为30at%时，AZO薄膜的光学禁带宽度约为4.6eV。 4.研究了掺Al浓度与薄膜电阻率之间的关系。当掺杂浓度为2at%左右时，薄膜电阻率最小，为3.4310-4.cm；当掺杂浓度为30at%左右时，薄膜电阻率最大，为1.33107.cm.