【摘 要】
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该文对磁控溅射制备的氧掺杂Ge-Sb-Te薄膜的结构、光学及光存储性能进行了系统研究. 对相变光盘溅射用靶材的粉末冶金工艺进行了全面的研究,制备了φ100mm靶材.通过对整个工
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该文对磁控溅射制备的氧掺杂Ge-Sb-Te薄膜的结构、光学及光存储性能进行了系统研究. 对相变光盘溅射用靶材的粉末冶金工艺进行了全面的研究,制备了φ100mm靶材.通过对整个工艺过程中各元素的百分含量的分析测定,对稳定靶材的设计成分具有指导意义.对烧结样品的横截面上不同微区的成份进行了测定,发现各元素在靶材中的分布是均匀的.起初靶材密度较低的原因主要是由于冷等静压力过低和氧化造成的.通过优化冷等静压力,样品的密度已经非常接近其设计密度.测定各个工艺阶段的氧成分,发现样品的氧化主要在球磨阶段,加强防氧化保护十分重要. 以Ge-Sb-Te合金靶采用磁控溅射方法在不同的氧分压下制备了Ge-Sb-Te-O薄膜.对薄膜的光谱及光学常数的研究表明,不同氧含量的Ge-Sb-Te-O薄膜,其反射率(R)随着氧含量的增加而减少,透过率(T)随着氧含量的增加而增大,特别是在长波长变化更为明显.样品的折射率和消光系数随着氧含量的增大都相应地减小.在氩气保护下275℃热处理30分钟后,薄膜光学常数有很大的变化.在400~585nm波长之间氧掺杂量为4.132at.﹪时样品的消光系数最大.使用测定得到的n,k数据计算出了薄膜的晶态和非晶态反射率,发现结果和实际测出的薄膜反射率具有很好的一致性,证明了实验结果的正确.利用X射线衍射分析对热处理前后薄膜的结构变化进行了测定.发现各种氧含量的薄膜在真空热处理后都有明显的衍射峰,表明经过热处理后薄膜发生了非晶态到晶态的相变.
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