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该论文报道采用离子束溅射法成功地制备了纳米半导体GaAs、Ge的颗粒在SiO<,2>绝缘介质中的镶嵌薄膜.研究了实验的主要工艺条件;同时对制得的薄膜进行X射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)及能谱分析,寻找到了获得优良光学性能薄膜的优化条件.结果表明:采用适当的溅射条件下,较低温度沉积,加原位退火,可以制备GaAs纳米半导体;室温沉积,在较高温度下退火,可以制备Ge纳米半导体.制得的薄膜附着力强,晶粒细小,具有工艺简单,条件容易控制的优点.在此基础上,测量了Ge纳米晶的喇曼光谱,并采用声子限域理论进行了讨论.采用有效质量近似理论研究了纳米半导体GaAs、Ge的能级结构,进行了光学性质(主要是光吸收)的实验研究,探讨了量子尺寸效应和介电限域效应对吸收边蓝移的影响.