【摘 要】
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铋层状类钙钛矿结构材料具有优良的铁电性能如抗疲劳特性、较高的居里温度、漏电流小，因而特别适合于高温、高频条件下使用，在铁电存储器领域有广泛的应用前景。本论文着重于Bi
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铋层状类钙钛矿结构材料具有优良的铁电性能如抗疲劳特性、较高的居里温度、漏电流小，因而特别适合于高温、高频条件下使用，在铁电存储器领域有广泛的应用前景。本论文着重于Bi层状钙钛矿结构铁电材料钛酸铋A位掺杂改性研究。通过研究钛酸铋陶瓷样品的晶体结构、表面形貌和介电性能，探讨了A位掺杂对Bi层状钙钛矿结构铁电材料性能的影响机理。
采用传统的固相烧结工艺，制备了不同Bi含量过量的Bi<,4>Ti<,3>O<,12>铁电陶瓷样品，用X射线衍射法对它们的结构进行了分析，Bi含量的过量不同并没有改变晶粒尺寸大小；用扫描电子显微镜对它们的表面和截面进行了观察，陶瓷晶粒呈层片状，陶瓷内部存在气孔。
还制备了不同镧系元素((La，Sm，Nd，Dy)掺杂Bi<,4>Ti<,3>O<,2>铁电陶瓷样品。用X射线衍射法对它们的结构进行了分析，发现掺杂基本上没有改变材料原来的晶体结构。用扫描电镜对它们作了观察，掺杂也没有改变陶瓷晶粒的片状结构。
研究了用三价的镧系元素离子((La<3+>，Sm<3+>，Nd<3+>，Dy<3+>)取代部分Bi<3+>对材料介电性能的影响。镧系元素掺杂对介电性能的影响，与材料中缺陷的浓度和晶格畸变的程度等因素有关。用更稳定的La系元素离子取代Bi<3+>可以降低材料中缺陷的浓度，从而提高介电性能。
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