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低能电子衍射在原子尺寸范围确定晶体表面结构起着重要作用,并大大地扩展了人们 对表面结构和性质的理解.该文且面介绍低能电子衍射的发展历史和它在分析复杂表面结构 中面临的困难.这些困难部分地被一处半微扰方法,即包含自动优化过程的自动张量低能电子衍射(AELEED)解决.该论文研究确定了ATLEED在GaAs(111)-p(2×2)表面结构分析中的有效搜寻范围,它比金属和金属吸附表面时的有效范围要小.在详细分析LEED理论计算和Mrstick共 的实验IV曲线后,该论文首次定量地解决了GaAs(111)-p(2×2)表面结构.该论文使用ATLEED对Jona提供的一套14个衍射束实验数据进行分析后,作者发现MP模型比TBS模型的符合程度 要好,工且不接受表面 能计算提出存在正反倾斜π刍链混合结构的设想.对Jona提供的另一套有12个衍射束的实验数据仔细分析的结果表明,用分别为MP模型和TBS模型的两个不同 畴块混合能使理论计算与实验IV曲线的符合程度有很明显的改善.作为一咱新的表面结构分析工具,低能正电子衍射(LEPD)有许多LEED不具备的优点.论文尝试对Si(111)-2×1解理表面进行张量LEPD分析,并与LEED的研究结果进行比较.