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GaN是一种宽带隙(Eg=3.4 eV)半导体材料，具有优越的光学、电学和机械性质，热稳定性高，化学稳定性好，在光电子和微电子器件等方面具有广泛的应用，成为新一代化合物半导体材料的研究热点。本文研究了用Pt催化CVD法制备GaN纳米结构的工艺，用密度泛函理论计算了饱和三角截面GaN纳米线的电子结构和电子输运特性。 在用CVD法制备GaN纳米结构的工艺部分，研究了氨化温度、氨气流量和氨化时间对竹叶形GaN纳米结构形貌的影响，得到了调控竹叶形GaN纳米结构形貌的工艺，对所制样品进行了XRD、SEM表征。 用第一性原理和非平衡格林函数(NEGF)方法研究了35个原子、110个原子和221个原子的加氢饱和三角截面GaN纳米线的几何结构、能带结构和输运特性，计算结果表明:优化后的几何结构中键长发生了变化;饱和三角截面GaN纳米线的带隙均为直接带隙，且随着原子个数的增加，禁带宽度逐渐减小;纳米线两极体系的态密度和传输谱都有脉冲形的尖峰，并且二者尖峰所对应的电子能量的位置基本相同，表明电子态密度和电子传输谱的变化趋势是相互对应的。