【摘 要】
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航天器用半导体存储器的单粒子效应是关系到航天器安全和可靠性的关键问题,该文从机理分析、模拟计算和实验研究三个方面进行了深入而全面的研究.首先,根据半导体器件物理理
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航天器用半导体存储器的单粒子效应是关系到航天器安全和可靠性的关键问题,该文从机理分析、模拟计算和实验研究三个方面进行了深入而全面的研究.首先,根据半导体器件物理理论,解析分析了CMOS静态随机存取存储器(SRAM)单粒子翻转机理和电荷收集过程.推导出CMOS SRAM发生单粒子翻转过程中的恢复时间和反馈时间的解析表达式.其次,在分 析质子与硅反应的基础上,提出质子单粒子翻转载面理论计算模型,建立了模拟计算方法.第三,开展了SRAM质子单粒子效应实验研究.第四,对浮栅只读存储器(ROM)进行了14MeV中子辐照实验研究.最后,通过对浮栅ROM器件和SRAM的比较得出,在14MeV中子辐照下浮栅ROM器件的抗辐照注量阈值比SRAM高4个量级;在30MeV质子辐照下,浮栅ROM器件出现数据错误的质子注量阈值将比SRAM高2个量级.浮栅ROM器件,尤其是FLASH ROM,疳在航天器中得到 广泛应用,特别在不需经常控写数据的情况下.
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