PIP法制备BN/SiO<,2>复合陶瓷工艺与性能研究

来源 :哈尔滨工业大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sam008
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作为导弹天线窗材料,力学性能和介电性能是不可或缺的两方面,该文根据大型导弹天线罩材料的使用要求,围绕提高BN/SiO<,2>复合材料力学性能和介电性能,对制备工艺进行了研究.设计并采用反应烧结工艺(1550℃保温8h)制备了多孔BN陶瓷作为复合材料的基体骨架,然后浸渍有机先驱体聚碳硅烷,再于氧化气氛下裂解(PIP法)制得了BN/SiO<,2>复合陶瓷.通过XRD、SEM、EPMA技术研究了材料的组织结构,采用IR、DTA-TG分析了聚碳硅烷裂解机理;采用三点弯曲法测试了材料抗弯强度和弹性模量;还用短路波导法测试了材料介电常数和介电损耗.该文首次采用聚碳硅烷作为SiO<,2>的先驱体,于空气中氧化裂解制备了BN/SiO<,2> 复合材料,先驱体陶瓷转化率高达91﹪.复合材料力学性能较BN陶瓷有了一定程度提高,试样抗弯强度分别为61.96、64.09、78.52、93.31MPa,分别提高了33.6﹪、6.75﹪、18.5﹪、15.1﹪.制备的BN/SiO<,2>复合材料介电常数在3.5~3.78之间,介电损耗为10<-3>数量级.结合材料的力学性能和介电性能,基本上能满足天线罩使用上的要求.
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