【摘 要】
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氧化锌(ZnO)是一种宽禁带的直接带隙半导体材料,它的晶格常数为a=0.32533nm,c=0.52073nm。由于它具有宽禁带(3.27eV)和高激子结合能(约60meV)等优良的性能,可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。通过对氧化锌进行过渡金属的掺杂,能改变它的特性。本文利用CS-400型三靶射频磁控溅射仪在不同基片上成功制备了Cu掺杂氧化锌薄膜和Mn掺杂
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氧化锌(ZnO)是一种宽禁带的直接带隙半导体材料,它的晶格常数为a=0.32533nm,c=0.52073nm。由于它具有宽禁带(3.27eV)和高激子结合能(约60meV)等优良的性能,可广泛的应用于太阳能电池、压电薄膜、光电器件、气敏器件和紫外探测器等方面。通过对氧化锌进行过渡金属的掺杂,能改变它的特性。本文利用CS-400型三靶射频磁控溅射仪在不同基片上成功制备了Cu掺杂氧化锌薄膜和Mn掺杂氧化锌薄膜,并对不同金属掺杂量的氧化锌膜进行了研究。结果如下:一、采用射频磁控溅射技术在导电
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