高品质因素MgTiO3-SrTiO3系微波介质陶瓷介电性能的研究

来源 :景德镇陶瓷学院 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gold704
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随着雷达技术以及微波通信的快速发展,微波介质谐振器材料的研究向着微波高端方向发展。MgTiO3陶瓷是一种具有优良的微波介电性能的微波介质陶瓷,是目前典型的高品质因素微波介质陶瓷体系之一。然而,MgTiO3陶瓷依旧存在介电常数偏低、频率温度系数为负以及烧结温度偏高的问题,限制了它的应用。本论文通过对MgTiO3-SrTiO3陶瓷进行A位离子掺杂与取代,在降低其烧结温度的同时,进一步优化其微波介电性能。采用固相法制备了(1-x)MgTiO3-xSrTiO3(MST,x=00.065mol)基微波介质陶瓷,并添加低熔点氧化物作为离子掺杂、取代及烧结助剂,研究不同量的烧结助剂及掺杂离子对MST体系微波介质陶瓷烧结性能、晶相组成、显微结构及微波介电性能的影响。研究发现在所研究的组成范围内MgTiO3-SrTiO3并未形成固溶体,而是以MgTiO3为主晶相,SrTiO3为次晶相,而且随着添加量x的增加,中间相MgTi2O5的衍射峰逐渐减弱,同时陶瓷的体积密度、介电常数εr、谐振频率温度系数τf都呈增加趋势,但无载品质因素与谐振频率的乘积Q×f的值随添加量的增加呈下降趋势。当x=0.035mol时,陶瓷可在1380℃保温2h烧结,此时陶瓷获得近零的频率温度系数: τf=-2.8×10-6/℃、高的品质因素: Q×f=16714GHz和介电常数: εr=21.5。采用固相反应法制备了0.965MgTiO3-0.035SrTiO3(MST)微波介质陶瓷,选用Zn2+对MST陶瓷进行了A位离子掺杂,研究了不同Zn2+掺杂量对陶瓷烧结性能、晶相组成、显微结构及微波介电性能的影响。结果表明,Zn2+的掺入促进了陶瓷的烧结,显著提高了陶瓷的致密度,且并没有改变陶瓷的主晶相。随着Zn2+掺杂量的增加,陶瓷的介电常数增加,品质因素和频率温度系数略有降低。中间相MgTi2O5的衍射峰强度随着Zn2+掺杂量的增加逐渐减弱直至完全消失。当Zn2+掺杂量为y=0.03时,陶瓷的烧结温度由1380℃降低至1290℃,并呈现优异的微波介电性能:εr=22.51,Q×f=16689GHz,τf=-4.52×10-6/℃。采用传统电子陶瓷制备方法研究了Co2O3(1.55.0wt%)掺杂的0.965MgTiO3-0.035SrTiO3(MST)微波介质陶瓷,分析了Co2O3含量对MST陶瓷的烧结性能、晶相结构、显微形貌以及微波介电性能的影响。研究结果表明:添加了Co2O3的MST陶瓷的仍然以MgTiO3为主晶相, SrTiO3为次晶相,陶瓷的体积密度有所增加,表明Co2O3的掺杂促进了MST陶瓷的烧结。随着Co2O3掺杂量的增加,陶瓷介电常数略有下降,频率温度系数以及品质因素增加,同时中间相MgTi2O5的逐渐减少至完全消失。当Co2O3掺杂量为3.0wt%时,MST陶瓷的烧结温度由1380℃降低到1290℃,并具有优良的微波介电性能:频率温度系数τf=-2.53×10-6/℃,高的品质因素Q×f=19006GHz,和介电常数εr=20.5。
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