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GaN材料及器件近年来成为研究的热点，尤其是GaN基发光二极管(LED)。究其原因，主要是因为GaN蓝绿光LED产品的出现从根本上解决了白光发光二极管三基色的缺色问题。而且LED是节能、环保型光源，具有体积小、冷光源、响应时间短、发光效率高、防爆、节能、寿命长、无闪频、容易与IC电路匹配，可在各种恶劣环境下使用等特点。因此GaN发光二极管的应用遍及大屏幕彩色显示、车辆及交通、多媒体显像、LCD背光源、光纤通讯等领域。白光LED照明更是引起了各个国家的高度重视，日本、美国、欧洲以及我国都相继启动了有关白光照明的研究项目。本文就LED制作过程中出现的困难，着重研究了GaN基LED制作中的p型欧姆接触电极的制作，以及透明导电材料：掺锡氧化铟(ITO)的制备，并对GaN基LED进行了试做，得出了以下的结果：
(1)采用Ni/Au作为p型欧姆接触电极，通过实验得到，540℃是退火的最佳温度。金属层厚度过厚或者过薄都会使电阻率增大。而在p-GaN上用磁控溅射沉积Ni(20nm)/Au(40nm)的条件下，在空气中快速退火300s，得到最佳接触比电阻率为1.09×10<-5>Ω·cm<2>。
(2)ITO薄膜制备过程中，氧流量的改变，使得薄膜氧含量不同，从而导致薄膜方块电阻和透过率随着退火温度的升高，其变化规律不尽一致。通过实验，我们得到透过率为90％以上，方块电阻较小的样品。
(3)论文最后根据GaN基LED的制作流程，进行了试做及测试，经过对发光亮度，发光功率，反向漏电流等参数的综合优化，获得了高亮度GaN蓝光LED的最终性能指标：发光波长：455～460nm；正向电压：3.22～3.27V；发光功率：>6mW(I<,F>=20 mA)；反向漏电流：<0.05μA(V<,R>=5V)。