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有机液体及其凝固过程的电信息
【机 构】
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中山大学
【出 处】
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中山大学
【发表日期】
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1995年期
其他文献
硅(Si)和砷化镓(GaAs)材料制成半导体器件由于材料本身的限制已经达到发展极限，难以满足当今对高功率和强辐射器件的需求。碳化硅(SiC)作为物理性能优异的宽禁带半导体，是制备