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本论文采用射频磁控技术在Si(111)和Al_2O_3基片上在不同的工作参数下制备了Zn_(1-x)Fe_xO薄膜,研究了工作参数对Zn_(1-x)Fe_xO薄膜结构的影响,重点研究了不同浓度Fe掺杂对ZnO薄膜结构和光、磁学性质的影响。在实验中,用Ar作为工作气体,用高纯ZnO(99.99%)靶制备ZnO薄膜,为了实现掺杂Fe元素,在高纯ZnO靶表面均匀地粘上铁片,用共溅射的方法制备了Zn_(1-x)Fe_xO薄膜,通过改变铁片的数量来改变掺杂量。Zn_(1-x)Fe_xO薄膜的