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在有效质量近似和绝热近似下，运用变分法，考虑了量子环的三维约束效应，选择含两个参量的尝试波函数，首先讨论了无限深圆柱形GaAs量子环中类氢施主杂质结合能与量子环尺寸(内径、外径、高度)以及杂质位置的函数关系；然后研究了自组织圆柱形GaAs/A1xGa1-xAs中杂质结合能随量子环结构参数的变化规律，同时分析了杂质结合能随AlxGa1-xAs材料中Al的含量以及杂质位置的变化关系；并且与自组织圆柱形GaAs/AlxGa1-xAs量子点中类氢杂质结合能进行了对比。计算结果表明，量子环内径对量子环中类氢杂质结合能有重要影响，量子环是一特殊的量子点，因此将量子环中类氢杂质结合能与杂质位置之间的函数关系与量子点相比，它们变化规律是一致的。