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随着现代科技的发展，功能器件逐渐向着小型化和智能化的方向发展，其中微/纳米量级的光电器件处于核心地位。近些年来，ZnO因为其独特的光学、电学、压电、光电等性质而受到广泛的关注和研究，基于ZnO纳米线的激光器、纳米发电机、太阳能电池、光电探测器等的研究均已取得一系列的进展。而石墨烯作为一种二维的单层碳材料，自发现伊始就引发了人们极大的研究兴趣。本论文主要研究了ZnO微/纳米线的生长、单层石墨烯/Au纳米颗粒/ZnO微米线的光学性质，石墨烯/ZnO微/纳米线的光电性质等。 本论文研究取得主要结果如下: 1.利用化学气相沉积法(CVD)配以缓慢降温过程和氧气氛围退火过程制备出了高品质的ZnO微/纳米线。使用光学显微镜和扫描电子显微镜表征了其形貌特征;用拉曼光谱和透射电子显微镜表征了其结构特征;用PL光谱表征了其光学特征。这种高品质的ZnO微/纳米线可以被应用于制备其他复杂结构的微/纳米光电功能器件。 2.制备出了单层石墨烯/金纳米颗粒/ZnO微米线异质结，测试了不同温度下器件的PL谱。通过对有无石墨烯的区域研究对比，我们发现了石墨烯对ZnO微米线光致发光三倍左右的增强，并将这一增强效应归结于ZnO的PL发光和石墨烯表面等离子激元的匹配耦合。由于这种耦合作用，波矢方向为平面内的发射光被ZnO表面的Au纳米颗粒所调制，激发了石墨烯的表面等离子激元，辐射出光子，从而实现了增强。这一实验结果对于设计基于ZnO/石墨烯的光电器件具有指导意义。 3.研究了石墨烯/ZnO微/纳米线肖特基结的光电性质。我们利用Ga离子诱导Pt沉积，实现了ZnO和金属电极之间的欧姆接触。经过实验研究和理论分析，发现石墨烯和ZnO微/纳米线之间的接触是肖特基接触，并且肖特基势垒的高度随着栅极电压的增加而减小，随着照射在结区上的紫外激光强度增强而降低。这一肖特基结对325nm的紫外光具有良好的响应，其响应速度达到数十微秒量级。