【摘 要】
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该论文的主要工作是研究如何在CaAs衬底上利用分子束外延制备高质量的CdTe单晶膜,并对材料生长机理作一些研究.首先,作者在CaAs衬底上得到了高质量的CdTe外延膜,X射线双晶衍
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该论文的主要工作是研究如何在CaAs衬底上利用分子束外延制备高质量的CdTe单晶膜,并对材料生长机理作一些研究.首先,作者在CaAs衬底上得到了高质量的CdTe外延膜,X射线双晶衍射半峰宽80弧秒,低温荧光半峰宽10mev,位错密度10<5>cm<-2>.其次,在生长机理方面,作者首次提出了生长温度可以决定CdTe的外延取向,并且从能量和晶格失配的角度加以解释.第三,首次进行了(211)ACaAs衬底上CdTe外延膜的生长,对其生长特性作了系统研究.第四,发现了由于极性的不同导致的一些现象:(1)在抑制孪晶方面,(211)A衬底优于(211)B衬底;(2)在同一生长条件下,(211)A衬底获得(211)取向的CaAs,(211)B衬底获得的是(133)取向的CdTe;(3)(211)A、(211)B脱氧化膜温度、外延膜极性、取向转变临界温度的差别.第五,利用反射式高能电子衍射仪研究生长模式、外延膜取向、缺陷.
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