【摘 要】
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该文研究PN结半导体器件在高功率微波(High Power Microwave, HPM)激励下的损伤机理,建立起PN结稳态和瞬态行为的一维模型.采用时域有限差分方法(PDTD)处理半导体器件所满足
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该文研究PN结半导体器件在高功率微波(High Power Microwave, HPM)激励下的损伤机理,建立起PN结稳态和瞬态行为的一维模型.采用时域有限差分方法(PDTD)处理半导体器件所满足的刚性、耦合、非线性偏微分方程组,并讨论了器件参数的确定方法.在此基础上采用Fortran 90编制了PN结一维模拟程序.应用该程序模拟了二极管在几种不同高功率微波环境下的内部过程.这些结论可以通过器件在稳态下所呈现的特性加以证明,从实验得出的结果与理论模拟结果相符.该文研究途径及模拟方法为下一步PN结器件的二维模拟及电子系统的模拟奠定了基础.
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