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在众多的防腐蚀方法中,缓蚀剂因具有经济、高效、适应性强等优点,目前被广泛应用在工业生产中,并发挥着极其重要的作用。本文通过量子化学计算(QC)、分子动力学模拟(MD)研究了对铜锌合金具有缓蚀作用的4-氨基-5-巯基-3-甲基1, 2, 4,三唑(A)、4-氨基-5-巯基-3-乙基1, 2, 4,三唑(B)、4-氨基-5-巯基-3-丙基1, 2, 4,三唑(C)三种三唑类缓蚀剂分子和对铜有缓蚀作用的苯并三唑(H)以及其衍生物methyl of carboxybenzotriazole(D)、butyl of carboxybenzotriazole(E)、hexyl of carboxybenzotriazole(F)、octyl of carboxybenzotriazole(G)五种三唑类缓蚀剂分子的缓蚀机理。A-C三种三唑分子的反应活性区域主要分布在三唑环及其极性官能团上。三唑环上的两个相邻的N原子和极性官能团上的S原子极为亲电反应中心又为亲核反应中心,既可以提供电子与金属表面形成配位键,又可以接受金属表面提供的电子形成反馈键。三个分子的电负性主要表现在三唑环上两个相邻的N原子上。计算确定了三种三唑分子在Cu2O表面上的吸附能,确定了它们最佳的吸附方位以及其与金属表面的吸附是化学吸附。对于D-G四种苯并三唑分子:在中性介质中,形成双键的两个氮原子以及与碳原子成双键的氧原子这三个原子是可能的活性位点;电子密度较大的区域以及四个分子的电负性(negative charge)主要分布在这三个原子上面;分子的缓蚀效率与分子的最低非占据轨道能量、化学势、亲电指数具有很好的线性关系;对于酸性介质中,反应活性位点主要集中在中间的氮原子上,其次是与碳原子成双键的氧原子;分子的缓蚀效率与分子的最低非占据轨道能量以及最高占据轨道能量、最高占据轨道与最低非占据轨道能量间隔△E、化学势的以及亲电指数均具有很好的线性关系。模拟研究了A-H九种缓蚀剂分子在Cu(001)和Cu2O(001)表面上的吸附过程,统计了缓蚀剂分子与金属表面之间的吸附能。A-C三种分子在液相条件下当与氧化亚铜面作用时,巯基为头部作为吸附部位,三唑环及其烷基链作为尾部吸附在金属表面上。吸附能越大,缓蚀效率越高。进一步模拟了腐蚀介质粒子H2O, H3O+, Cl-在缓蚀剂A-C膜中的扩散过程,通过分析腐蚀介质粒子在缓蚀剂膜中的扩散系数、均方位移曲线以及腐蚀介质粒子与缓蚀剂膜的相互作用能,我们可以得出:缓蚀剂膜能够很好的阻止腐蚀介质粒子向金属表面扩散;缓蚀剂膜对带电的负离子具有更强的抑制能力。