【摘 要】
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该论文首先对基本的双栅MOSFET器件结构进行研究和讨论,介绍了国内外对双栅MOSFET器件结构的研究成果,并提出了一些新型双栅MOSFET器件结构;接着,对器件模型进行理论分析,选
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该论文首先对基本的双栅MOSFET器件结构进行研究和讨论,介绍了国内外对双栅MOSFET器件结构的研究成果,并提出了一些新型双栅MOSFET器件结构;接着,对器件模型进行理论分析,选取了一种硅膜中等电位近似假设的器材模型,对双栅MOSFET器材进行模拟计算,得到了双栅MOSFET器件等电位近似模型的各种特性曲线;最后,进行双栅MOSFET器件的工艺设计,提出多种工艺方案,并按照其中一种硅片键合(SDB)方案选取适当的硅膜厚度、衬底浓度等参数,设计完整的掩膜版图以及具体的工艺流水过程,再用SUPREM程序对特殊的工艺进行模拟,得到具体的工艺参数.
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