【摘 要】
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利用脉冲激光沉积(PLD)技术生长了SrBiNbO薄膜和掺Ag纳米颗粒薄膜以及Pt/SrBiNbO/Nb-SrTiO薄膜,并对薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性质和铁电性质进行了研究.主要内容结论
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利用脉冲激光沉积(PLD)技术生长了SrBi<,2>Nb<,2>O<,9>薄膜和掺Ag纳米颗粒薄膜以及Pt/SrBi<,2>Nb<,2>O<,9>/Nb-SrTiO<,3>薄膜,并对薄膜的晶体结构、表面形貌、光学性质和铁电性质进行了研究.主要内容结论如下:(1)利用PLD技术制备了SrBi<,2>Nb<,2>O<,9>/MgO薄膜.XRD结果表明样品为高度(115)取向,具有很好的结晶性;利用X射线光电子能谱测量,薄膜的组分和电子状态与靶材一致;用AFM对薄膜表面进行了观测表明样品的平整度较好.利用Z描技术对薄膜进行了测量,从而计算出其三阶非线性光学极化率的实部Reχ<(3)>=4.139×1O<-7>esu和虚部Imχ<(3)>=1.104×1O<-7>esu.(2)利用PLD方法在MgO(100)上制备了掺Ag的金属纳米团簇复合薄膜.XRD结果表明随着Ag的掺杂,SrBi<,2>Nb<,2>O<,9>的结晶性降低;XPS分析表明Ag在薄膜中呈金属态;从薄膜的AFM图像可以看出,样品的表面由于Ag纳米颗粒随机生长,薄膜的均匀性较差.采用Z扫描技术对Ag:SrBi<,2>Nb<,2>O<,9>薄膜进行了测量,其Reχ<(3)>和Imχ<(3)>分别达到了8.052×10<-7>esu和1.717×10<-7>esu.(3)利用PLD技术制备了Pt/SrBi<,2>Nb<,2>O<,9>/Nb-SrTiO<,3>薄膜.XRD结果表明薄膜具有很好的结晶性;XPS分析表明Pt电极呈金属态,生长良好.利用RT6000S SYSTEM和Agilent 4294A,precision impedance analyzer测量了薄膜的ε-f、P-E、C-V、I-V曲线.通过分析计算薄膜的P<,r>=5μc/cm<2>,2E<,c>=82.2kV/cm;C-V曲线呈现"蝶形",两峰值电压差为骄顽场的两倍;回线I-V曲线表明薄膜具有明显记忆窗口,具有存储能力,有望在铁电领域中进一步应用.
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