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由于量子限域效应，半导体纳米晶的能带宽随粒子大小而改变。单纯依靠改变纳米晶大小来调控能带宽将引起许多技术和应用上的不便。为解决这一问题，近年来科学界发展了多种具有优异性能的新型胶体半导体纳米晶(主要包括合金纳米晶、Type-I、反转Type-Ⅰ及Type-Ⅱ核/壳结构纳米晶)。
本文采用了多种新颖的途径合成了合金、Type-Ⅰ及Type-Ⅱ纳米晶体。使用离子交换法制备的CdxZn1-xSe合金纳米晶体填补了在420-500nm的光谱范围内没有合适半导体纳米材料的空白。水相CdTe/CdS Type-Ⅰ核壳/晶体亮度高、性质稳定、合成方便，很有希望作为生物领域的荧光标识剂。而CdS/ZnSe Type-Ⅱ型纳米晶的合成采用了SILAR法，精确的控制了壳层的生长；并且由于不含Te元素，产物的荧光量子产率达到了约45％。对各样品的紫外吸收和荧光发射光谱的研究表明：产物光学性质优良，荧光量子产率高、半峰宽窄、稳定性高。并且通过研究光谱特性的变化推断了产物形成的机理，并通过TEM、XRD、ICP等测试方法对产物的结构进行了确证。