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本文用化学腐蚀法对CZ法生长的φ50mm蓝宝石单晶中的位错和缺陷进行了分析研究，并采用金相显微镜和SEM对其进行了显微观察和分析。进行了不同温度、不同的试剂以及不同的腐蚀时间条件下的缺陷显示实验。发现，用熔融的KOH腐蚀剂在290℃下腐蚀15分钟时，显示的位错最为清晰、准确，效果最佳。 利用原子力显微镜(AFM)观察了蓝宝石衬底和GaN外延层中缺陷形貌以及衬底与外延之间生长界面的情况，发现在蓝宝石衬底上外延GaN，当蓝宝石中的位错密度小于10~5／cm~2时，GaN中的位