【摘 要】
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HgI探测器的性能关键是取决于材料本身和器件的制备工艺.因此该论文首先是制备高纯、高阻、高质量的HgI晶体,然后探讨了HgI晶体的表面处理等器件制备工艺.为了获取高纯度且具
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HgI<,2>探测器的性能关键是取决于材料本身和器件的制备工艺.因此该论文首先是制备高纯、高阻、高质量的HgI<,2>晶体,然后探讨了HgI<,2>晶体的表面处理等器件制备工艺.为了获取高纯度且具有正化学比的碘化汞（HgI<,2>）多晶原料,采用"真空冷指升华法"制备基本组成原料高纯（5N）碘（I<,2>）及"三温区气相合成法"合成碘化汞（HgI<,2>）多晶原料,真空区域升华法提纯碘化汞,研究了合成时碘的过量问题和升华提纯时对原料的碘处理.研究了"三温区气相定点成核法"生长HgI<,2>晶体,分析讨论了温度场对晶体生长的影响.初步研究探索了HgI<,2>室温探测器的制备,研究了HgI<,2>晶体的表面腐蚀和探测器的漏电特性.
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