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本文围绕着Ⅲ-Ⅴ族半导体MQW-PLC中两个重要的单元器件：光调制器/开关(OM/S)和谐振腔滤波器(RF)，开展理论分析、优化设计、材料生长、图形加工、样品制作以及测试分析等研究工作。
第一章简要回顾了光网络、微波光子系统的发展过程以及PLC和PICs在其中的作用，全面概述了各类平面波导高速光调制器和光滤波器的研究进展，综述并评价了Ⅲ-Ⅴ族半导体MQW的性能、制作工艺和主要分析方法，提出了深入开展研究工作的规划和思路。
第二章重点讨论了时域有限差分束传输法(TD-FD-BPM)、时域有限差分法(FDTD)及分析介质光波导的边界条件等问题，基于完全匹配层(PML)吸收边界条件，建立了分析平面光波导器件的二维、三维数值仿真模型和平台，为MQW-OM/S和RF光传输通道的优化设计提供了精确且高效的工具。
第三章详细描述了高折射率差平面单谐振腔中光波激励、谐振、耗散的物理过程和基本特征，建立了各类谐振腔单元光路的系统分析模型和主要性能参数的完整表达式；建立了四端口谐振腔系统分析理论，给出了各端口传输系数的表达式；讨论和确定了GaAs/GaAlAs双异质结(DH)、GaAs/InGaAs-MQW和InP/InGaAsP-MQW脊波导结构参数以及耦合方式；基于3D-FDTD软件，优化设计出GaAs/GaAlAs-DH对称双、四矩形并联驻波RFs和单、串联跑道形行波RFs，GaAs/InGaAs-MQW单环以及InP/InGaAsP-MQW单矩形、混合型RFs。首次提出将多模干涉(MMI)波导等同于矩形谐振腔的构想，使其兼具多模干涉和谐振选频两种功能。首次提出具有多向传输通道和接口的谐振腔滤波系统的构想，并通过了数值仿真论证。
第四章基于Ⅲ-Ⅴ族半导体MQW-OM/S的设计需求，系统讨论了MQW的物理特性，分析了电吸收系数与MQW结构参数的关系，设计了InP/InGaAsP-MQW波导结构，确定了结构参数及掺杂比等；分析了InP/InGaAsP-MQW脊波导及相关器件中光波传输；建立了行波(TW)电极准静态和直接时域近似分析模型，详细分析讨论了行波电极的调制特性，为确定互作用区位置和行波电极的设计、制作和测试提供了理论依据。提出了新型的2X1光双波合路平面波导OM/S单元器件结构，可对两路光信号共用单调制器/开关获得调制。
第五章主要重点介绍了分子束外延生长技术，基于国内最先进的Ⅲ-Ⅴ族半导体材料生长工艺线，研制出10周期InGaAsP/InP应变多量子阱和相应包层的外延材料。对实验样品进行了10K温度下的PL光谱测试和双晶衍射测试，结果表明：阱层带隙波长为1520nm，阱层周期为17.1±0.3nm，与设计的标称值相符；量子阱层界面质量良好且与衬底匹配；该材料适于制成电吸收型调制器/开关。
第六章首先讨论并制定了Ⅲ-Ⅴ族半导体MQW平面波导制作工艺归范和流程，着重提出一种制作金属电极的新方法，妥善解决了器件制作的难点；在我国先进的工艺线上，研制出7种平面波导RFs和2种平面波导OM/S芯片。建立了具有国际先进水平的81910A光子全参数测试系统，实现了裸片与单模光纤的高效耦合，9类器件裸片均在实验室内通过了光学性能和静电测试，实际测试结果与仿真设计结果符合较好。其中，InP/InGaAsP-MQW-MZ-OM/S在外加电压1.2-1.8v时，捕获到较强的电吸收效应，光功率变化率约为0.33/v；MMI型矩形RF获得比仅基于谐振腔的RF更理想的输出功率谱；InP/InGaAsP-MQW单矩形/环行混合RF滤波的性能优于同类非混合器件。