MOCVD法制备Mg<,x>Zn<,1-x>O薄膜及其热稳定性研究

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Zn_(1-x)Mg_xO是一种新型Ⅱ一Ⅵ族宽禁带三元化合物半导体材料。在兼顾ZnO、MgO材料性能的同时,具有带隙连续可调的特点。这种材料可与ZnO一起组成异质结、量子阱和超晶格,这不但能极大地提高ZnO的发光效率,而且能对材料的发光特性进行调制。随Mg含量不同,Mg_xZn_(1-x)O可偏向某一晶格结构,Mg含量62%为立方晶体结构(晶格常数与MgO相近,a略有减小),在二者之间为混合相。本文使用MOCVD方
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